1：鋁型材氧化膜的生成機理

鋁型材表面電化學氧化膜的生成機理至今仍未完全得到解釋；這是因為在陽極氧化過程中物理、電化學、化學等過程都在同時進行，很難用簡單的方式說明陽極氧化膜的形成機理；但公認的是由兩種不同的反應同時進行來完成的，一種是電化學

反應，一種是化學反應；

①陽極反應；陽極反應實際上是一個析氧反應，其反應式如下：

4OH^-—4e^-→2H2O+2[O]

陽極析出的初生態(tài)氧一方面立即在陽極對鋁型材表面發(fā)生化學反應，生成薄而致密的氧化鋁膜層，并放出大量的熱，其反應式如下：

2Al+3[O]=Al2O3+1675.5J

另一方面結合生成O2析出，其反應式如下：

2[O]=O2↑

這一過程與電壓及電流密度的大小有密切關系；如果電壓高，相應電流密度大，陽極析氧太快，以至于還來不及和鋁型材發(fā)生氧化反應就以氧的形式析出，這將不利于氧化的正常進行；電壓過低，相應電流密度小，不利于陽極初生態(tài)氧的析出，使鋁型材表面難以形成氧化膜層；當電壓繼續(xù)降低，析氧過程將停止；

②陰極反應：在陰極上主要是析氫反應，其反應式如下：

2H^++2e^-→2[H]

2[H]=H2↑

當鋁型材中的其他高電位金屬元素在陽極溶解后，也有可能在陰極沉積析出；

（2）化學反應：陽極氧化的化學反應，實際上就是電解液對氧化膜的溶解反應，其反應式如下：

Al2O3+6H^+=2Al^3++3H2O

這是氧化膜得以生長的先決條件，如果沒有這一過程的進行，只能得到薄而致密的阻擋層；沒有氧化膜的溶解，鋁型材表面將很快被薄而致密的阻擋膜層覆蓋，使鋁型材基體表面和電解液隔離；同時阻擋層的高阻狀態(tài)使陰極和陽極近乎斷路，電化學反應也將隨之而終止，從而終止鋁型材氧化膜的繼續(xù)生長；

陽極氧化膜的正常形成必須有兩個相輔相成的過程，即氧化膜的生成和氧化膜的溶解；只有這兩個過程密切配合，才能得到具有所需性質及厚度的氧化膜層；從陽極氧化的兩個反應可以看出，電化學反應決定初態(tài)氧化膜的形成；化學反應決定氧化膜的溶解速度及膜層的性能；很明顯，要想得到一定厚度的氧化膜層，就必須使氧化膜的生長速度大于氧化膜的溶解速度；所以在氧化過程中，對氧化工藝條件的控制就顯得尤其重要；

2：鋁型材氧化膜的成膜過程

陽極氧化膜由致密的阻擋層和多孔的蜂窩狀外層組成，多孔的蜂窩狀外層是在具有介電性質的致密的阻擋層上成長起來的；在電鏡下，膜層的縱截面幾乎全部都呈與鋁型材表面垂直的管狀孔，這些管狀孔貫穿膜外層直至型材界面的阻擋層；這些管狀孔的密集狀態(tài)隨電解液成分及陽極氧化條件不同而異，現分別討論如下；

（1）阻擋層：鋁型材在陽極氧化過程中，靠近型材基體的一邊，在高電壓下，阻擋層首先形成；其厚度隨著電壓的增大而增加，隨著電解液二次溶解能力的提高而減少；這層膜由純度較高的Al2O3組成，該膜層致密且薄，硬度高，所以又稱阻擋層；阻擋層的厚度一般不大于膜層總厚度的0.2%~2%；阻擋層的厚度受電解電壓、電解液濃度及電解液溫度的影響；

阻擋層的厚度隨著電壓的升高而增加，并一直到極限電壓；極限電壓根據材料不同及氧化條件不同而異，在30V到60V之間；

電解液濃度低時，溶解作用弱，相應的阻擋層較厚，并隨著電解液濃度的增大而減薄，當達到90%時，幾乎已無膜生成；

電解液溫度低，對膜的溶解作用弱，相應的阻擋層較厚，升高電解液溫度，阻擋層厚度減薄；阻擋層厚度在電解開始后的5s左右即可達最大值，約20s后基本停止變化并直到氧化結束；

（2）蜂窩狀結構層：靠近電解液的一邊是由Al2O3和γ-Al2O3·H2O組成的膜層，和阻擋層相比硬度較低，且成蜂窩狀結構；氧化膜層的外層之所以具有蜂窩狀結構，是電解液對在孔底形成的單個晶胞的作用所致，也即二次溶解；也正因為有蜂窩狀結構的存在，才能保證電解液的流通，使鋁型材基體上能繼續(xù)不斷地生長出氧化膜；其溶解過程可以認為是阻擋層氧化物因電解過程加熱的作用而發(fā)生裂紋，電流在裂紋部位流過，導致溶液溫度升高，使裂紋周邊的氧化層溶解；在成膜初期，單排的氧化晶胞先在初期的氧化層里電阻最低的晶粒界面處形成，接著在晶粒界面處繼續(xù)形成另一些單排晶胞，最終形成蜂窩狀組織；

鋁型材陽極氧化膜的形成過程是非常復雜而又難以定量化的，目前也并沒有一個可以為大眾所接受的理論；陽極氧化膜并不能無限制地生長，隨著氧化膜厚度的增加，體電阻增大，電壓相應升高，發(fā)熱量增大，同時外層的溶解速度增大，并最終停止生長；其最大氧化膜厚度依不同的電解液組成、濃度、溫度而異；